Перспективи на полупроводничката технологија: од 2nm кон под 1nm и мемориски напредок
Samsung и TSMC активно ги подготвуваат производствените линии за 2nm, додека транзисторите се приближуваат кон атомски размери и се соочуваат со физички ограничувања. Во нов извештај од Јужна Кореја се презентирани долгорочни технички цели за следните 15 години во процесорската технологија и меморијата.
Подготовка за под 1nm Институтот за полупроводници најави дека до 2040 година процесорите би можеле да достигнат ~0,2 nm, отворајќи ја епохата на Ангстром. Ангстром е мери за должина една десетина нанометар, па производството на 0,2 nm би значело приближување на транзисторите кон атомската проникливост. Ова носи потреба од нови архитектури и техники на производство кои би ги надминале денешните методи. Според извештајот, особено се истакнуваат CFET (Complementary Field Effect Transistor) структури и монолитички 3D дизајни на кола, со цел да се зголеми густината и во хоризонтална и во вертикална смисла, преку преклопување на транзисторите. Сегашната најнапредна технологија за производство, 2nm GAA технологијата на Samsung, го обележува почетниот чекор во оваа линија на развој. Препознавајќи ги предизвиците, се работи на втора и трета генерација на 2nm процеси и истовремено започнати се истражувања за нивоата под 1nm.
Премин под 1nm и предизвици Употребата на помал од 1nm носи сериозни проблеми, не само во литографијата, туку и во материјалната издржливост, протокот на енергија и ефикасноста на производството. Целта од 2000-слојна NAND меморија е исто така вклучена во планот за патоказот: зголемување на бројот на слоеви од денешните 300 на 2000, што ќе го зголеми капацитетот за складирање и брзината на пренос. За DRAM, се работи на намалување на големината на ќелиите и зголемување на бројот на слоеви во HBM мемориите. Дополнително, се истакнуваат напредни навестувања за вештачката интелигенција: денес AI-ускорителите со десетици TOPS се очекува да достигнат стотици до илјадници TOPS во иднина, за компании да ги прошират можностите за пресметки.
Заклучок 0,2 nm ја поставува основата за нова транзиција во подолг рок, но истовремено бара ревидирање на фундаменталните компоненти како архитектура на транзисторите и дизајн на меморијата. Следните 10–15 години можеби ќе означат најважниот пресврт во полупроводничката технологија досега.
