Exynos 2600 Термични тестови и новиот период во управување со температурата

Појавувањето на серијата Galaxy S26 на пазарот ги одбрани темите околу споредбените перформанси меѓу Exynos 2600 и Snapdragon 8 Elite Gen 5. На страница на CPU-те, Qualcomm беше социјално доминантен, додека на страната на GPU, Samsung наоѓаше мала предност со мали разлики. Последните објави покажаа како Exynos 2600 се однесува во термалната перформанса и во реални сценарија на игри.

За Galaxy S26 и S26+ со Exynos 2600, беа споделени резултати од тестови како AnTuTu, 3DMark и CPU Throttling, а најочекуваните моменти се од натпреварите во игрите. Опкружувањето беше одржано на температура околу 26 степени. За време на играта LoL: Wild Rift, температурата на површината на стандардниот Galaxy S26 изнесуваше просечно 32 степени. Во тестот Genshin Impact, S26+ на работен циклус над 15 минути достигна приближно 38 степени на предната страна, а на задната страна делуваше околу 37–37,5 степени. Во Honkai Impact, беа забележани падови во FPS-от во одредени моменти; сепак, максималната температура на предната страна изнесуваше 39 степени, а на задната страна до 38 степени.

Овие вредности укажуваат на значително подобрување во однос на претходните генерации на Exynos, кои често беа критикувани за агресивно загревање и проблеми со thermal throttling. Се тврди дека Samsung ја постигнува оваа разлика преку три главни новости: 2nm GAA (Gate-All-Around) технологија за производство што овозможува подобра електрична контрола и зголемување на ефикасноста; преку FOWLP пакување, што овозможува потенка и поефикасна дизајн; и бакарната структура за ладење наречена Heat Path Block (HPB). Благодарение на овој систем, што директно контактира со топлината, се очекува термалниот отпор да се подобри за до 30%.

Ова напредување во здравствената во одговор на некогашните проблеми со загревање на верзиите на Exynos дава постабилно искуство при секојдневна употреба и при долгите сесии на игри, но, на одредено ниво, покажува дека не се целосно на истиот ниво во однос на перформансите. Исто така, со повторната организација на позицијата на DRAM, беше создаден важен пресек во управувањето со топлината.