Samsung започнува нов период со високоперформансни мемориски решенија со HBM4

16 февруари 2026 admin

Samsung Electronics соопшти дека преминала на серијска производство на новата генерација HBM4, технологија за меморија фокусирана на високитопропустливост и започнала комерцијални испораки. Претходно се сметаше дека оваа стратегија ќе почне во краток рок и првите испораки ќе се случат во првиот квартал; официјалната изјава ги потврдува тие наводи. Компанијата со HBM4 поставува нивото на пазарот со иновација и се позиционира како лидер во комерцијализацијата, добивајќи рани предности во пазарот.

Новата генерација меморија е особено насочена кон забрзување и скалабилност на инфраструктурите за податоци што ја потикуваат вештачката интелигенција. Со примена на напредни процесни технологии во производството за подобрување на перформансите, енергетската ефикасност и доверливоста, Samsung предвидува да ја усвои HBM4 во решенијата за дерѓиски центри како Nvidia Vera Rubin и AMD Instinct MI450 серијата, исто така и во хиперскојлните чипови.

Стандартна брзина од 11,7 Gbps со можност за скалабилност до 13 Gbps, HBM4 обезбедува константна брилина од 11,7 Gbps за пренос на податоци, надминувајќи ја рефернсната вредност од 8 Gbps за circa 46%. Дополнително, нуди 1,22 пати поголеми перформанси во споредба со максимумот од 9,6 Gbps на HBM3E, со можност да се зголеми до 13 Gbps кога е потребно.

Еден HBM4 стек, во однос на HBM3E, обезбедува 2,7 пати поголема пропусност со капацитет од 3,3 TB/s, што е клучна предност за AI задачи како што се графички убрзани тренинзи и изведби.

Напредни производствени процеси со кои се постигнуваат, вклучително 6. генерација од 10 нанометри (1c) DRAM технологија во логичкиот дел, и 4 нм технологија во производството. Овие процеси се интегрираат директно без дополнителни нови трансформации за постигнување на стабилна ефикасност и квалитет во серијското производство.

HBM4, со 12 Hi дизајн, нуди капацитети од 24–36 GB. Компанијата планира дополнително да ги зголеми капацитетите според барањата на клиентите и во иднина да ја посвои 16 Hi конфигурацијата со капацитет од 48 GB. Исто така, I/O интерфејсот е проширен на 2.048 пина; ова го подобрува перформансот, но зголемува и консумацијата на енергија и топлинската моќ. Со користење на техники за ниска енергетска потрошувачка и TSV технологија, оптимизација на PDN, се постигнува 40% поголема енергетска ефикасност во споредба со HBM3E.

На термальната страна, се забележува околу 10% подобрување на отпорноста и 30% зголемување на распределбата на топлината. Компанијата со развитие на HBM4E и специјализирани HBM решенија, ја проширува соработката со глобалните произвводители на графички процесори како и со хиперскалните компании Google, Amazon. Според проекциите за побарувачка, се очекува продажбата на HBM да се утрои на ниво кое ќе биде повеќе од три пати од онаа во 2025 година, појаснувајќи ја растечката капацитети за производство.

По лансирањето на HBM4, се планира почеток на примероци за HBM4E во втората половина од 2026 година. Примероците за специфичните HBM решенија ќе се испраќаат од 2027 година. Компанијата со своите нови решенија cHBM и zHBM продолжува со напредок и во ова поле.