AMD Instinct MI500: 2nm Производство, CDNA 6 и HBM4E за Подготовка за Трансформација на Вештачка Интелигенција
AMD, со својот нов генерален ускорувач Instinct MI500 кој беше најавен на CES 2026, го открива значајниот пресврт во областа на вештачката интелигенција и високоперформансното пресметување. MI500 претставува серија која се планира да излезе на пазарот во 2027 година, и ќе понуди комбинација од напреден процес на производство од 2nm, архитектурата CDNA 6 и технологијата за меморија HBM4E. Според соопштението на компанијата, семејството MI500 ќе се базира на напредната 2nm технологија на TSMC; иако сегашната серија MI400 користи процес на слична големина, за MI500 се бараат понови оптимизации. Овој факт нагласува можност за избор на N2P базиран пат на производство.
Новата генерација на процеси за производство ветува значајни придобивки во поглед на зголемување на перформансите, енергетската ефикасност и скалабилноста. Најзабележливата промена кај MI500 ќе биде преминот кон архитектурата CDNA 6. Оваа архитектура ќе го замени CDNA 5, која се користеше во сегашната серија MI400, и е специјално дизајнирана за вештачка интелигенција и високоперформансни пресметки. Исто така, AMD потврди дека ќе продолжи да ја користи марката CDNA», откако се откажа од UDNA именувањето.
На делот со меморијата, MI500 ќе користи HBM4E технологија, и има за цел да обезбеди надминување на брзината од 19,6 TB/s мемориска пропусност што ја нуди MI400 базирана на HBM4. Иако деталите за HBM4E се ограничени, се проценува дека оваа мемориска архитектура ќе обезбеди подесност од над 1000 пати за перформансите на вештачка интелигенција за четири години.
Со MI500, AMD сака да го следи растечкиот тренд на побарувачката со изострено следење на конкуренцијата во пазарот на центри за обработки на податоци, и да понуди брз процес на обновување. Овој циклус на производство се ажурира годишно, што се поврзува со фактот дека производите за ентериерски корисници ќе останат настрана од приоритетите за одреден период; долгорочните ефекти од сегашната недостаток во DRAM и NAND мемориите дополнително ја истакнуваат оваа прогноза.
