TSMC ги откри детали за N2 и планови за N2P и A16 во масовна примена
Во светот на полупроводниците, TSMC официјално ја потврдува преминот кон масовно сериско производство на чипови со процесот N2, кој носи значителни перформансни и енергетски подобрувања во споредба со претходните генерации. Овој чекор следи по предвремените навестувања дека N2 ќе достигне стабилна подготвеност за масовна работа во текот на годината, а календарот за реализација е во филмска реализација на компанијата без јавни соопштенија на прво место. Според техничките податоци: N2 нуди зголемување на перформансите од 10 до 15 проценти во однос на N3E при исто потрошување на енергија, додека на исто ниво на производна моќност може да се достигне намалување на потрошувачката на моќност за 25 до 30 проценти. За сложени дизајни се очекува кружен капацитет повисок за околу 15%, а за чисто логички дизајни транспарентната густина на транзисторите може да се зголеми за 20%.
N2 исто така означува прв пат воведување на Gate-All-Around (GAA) нанојсет транзистор архитектурата, што овозможува подобро управување со електричните поли и ја зголемува густината на транзисторите без погодени перформанси или енергетска ефикасност. Во прилог на ова, процесот носи и кислородни промени во инфраструктурата за дистрибуција на енергија, користејќи Super High Performance Metal-Insulator-Metal (SHPMIM) капацитори, кои обезбедуваат двојно поголена густина на капацитетот во споредба со претходната SHDMIM технологија.
N2P и A16 на пат Додека првата масовна пратка на чипови од класата N2 започна во фабриките на TSMC во Тајван, плановите за иднината се развиваат побрзо. Втората половина на 2026 година се поставува како почеток на масовната продукција на N2P и A16. N2P е унапредена верзија на N2, со дополнителни подобрувања во перформансите и енергетската ефикасност, а масовната продукција се очекува да започне во истото одредено време. A16, пак, ја гради базата врз N2P и воведува SPR технологија за напајање со енергија од задната страна, што дополнително ги зацврстува можностите за висока енергетска ефикасност и перформанси на новите чипови.
